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noninvasive treatment device for heating a first internal region and a second internal region of the skin using radiofrequency (rf) electric current
专利权人:
KONINKLIJKE PHILIPS N.V.
发明人:
BABU VARGHESE,JONATHAN ALAMBRA PALERO,MARGARET RUTH HORTON,MARTIN JURNA
申请号:
BR112017001135
公开号:
BR112017001135A2
申请日:
2015.06.08
申请国别(地区):
BR
年份:
2018
代理人:
摘要:
The present invention relates to a non-invasive treatment device (100) for heating a first (15) and second (25) internal regions of the skin using rf electric current, comprising: a first rf treatment electrode ( 10) configured and arranged to allow the rf current to pass through the first inner region (15) to a return electrode (340), a second rf treatment electrode (20) configured and arranged to allow the rf current pass through the second inner region (25) to the return electrode (340), the device being further arranged so that the shortest distance between the first rf treatment electrode (10) and the return electrode (340) less than the shortest distance between the second rf treatment electrode (20) and the return electrode (340); the skin contact area of the return electrode (340) is 5 or more times greater than the skin contact area of the first rf treatment electrode (10), and the area of electrical contact with the the skin of the second rf treatment electrode (20) is 5 or more times greater than the area of electrical contact with the skin of the first rf treatment electrode (10).a presente invenção refere-se a um dispositivo de tratamento não invasivo (100) para aquecimento de uma primeira (15) e segunda (25) regiões internas da pele usando corrente elétrica de rf, que compreende: um primeiro eletrodo de tratamento por rf (10) configurado e disposto para permitir que a corrente de rf passe através da primeira região interna (15) para um eletrodo de retorno (340), um segundo eletrodo de tratamento por rf (20) configurado e disposto para permitir que a corrente de rf passe através da segunda região interna (25) para o eletrodo de retorno (340), sendo que o dispositivo é adicionalmente disposto de modo que a menor distância entre o primeiro eletrodo de tratamento por rf (10) e o eletrodo de retorno (340) seja menor que a menor distância entre o segundo eletrodo de tratamento por rf (20) e o eletrodo de retorno (340); sendo que a área de contato elétrico co
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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