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放射線画像検出装置
专利权人:
FUJIFILM CORP
发明人:
OKADA YOSHIHIRO,岡田 美広,NAKATSUGAWA HARUYASU,中津川 晴康
申请号:
JP2016064078
公开号:
JP2016136160A
申请日:
2016.03.28
申请国别(地区):
JP
年份:
2016
代理人:
摘要:
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a radiographic image detection device capable of preventing deterioration of bias lines of photodiodes without causing image degradation.SOLUTION: A photoelectric conversion panel 21 has TFTs 32 that are formed on an insulating substrate 30 and covered with a first flattening layer 37. Photodiodes (PD) 33 are formed on the first flattening layer 37, and both the PDs 33 and the first flattening layer 37 are covered with a second flattening layer 39. A scintillator 20 contains cesium iodide and is vapor deposited directly on the photoelectric conversion panel 21. The photoelectric conversion panel 21 has bias lines 90 for supplying bias voltage to the PDs 33. The bias lines 90 are formed between the PDs 33 and the insulating substrate 30.SELECTED DRAWING: Figure 9COPYRIGHT: (C)2016,JPO&INPIT【課題】画像劣化を生じさせることなく、フォトダイオードのバイアス線の劣化を防止することを可能とする放射線画像検出装置を提供する。【解決手段】光電変換パネル21は、絶縁性基板30上にTFT32が形成されており、TFT32は、第1の平坦化膜37で覆われている。この第1の平坦化膜37上にフォトダイオード(PD)33が形成されており、PD33及び第1の平坦化膜37は、第2の平坦化膜39で覆われている。シンチレータ20は、ヨウ化セシウムを含有し、光電変換パネル21上に直接蒸着されている。光電変換パネル21は、PD33にバイアス電圧を供給するためのバイアス線90を有する。バイアス線90は、PD33と絶縁性基板30との間に形成されている。【選択図】図9
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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