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一种在Si基片上外延生长GaAs薄膜的方法
- 专利权人:
- 中国科学院合肥物质科学研究院
- 发明人:
- 赵志飞,李新华,文龙,郭浩民,步绍姜
- 申请号：
- CN201210099098.1
- 公开号：
- CN102618922A
- 申请日:
- 2012.04.06
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2012
- 代理人:
- 奚华保
- 摘要：
- 本发明涉及一种Si基生长GaAs薄膜分子束外延的方法，使用分子束外延设备在预处理的Si(111)衬底上先自催化生长1μm的GaAs纳米柱，之后降低温度使Ga液滴固化，气-液-固机制（Vapor-Liquid-Solid,VLS机制）的外延生长停止，主要侧向外延生长，逐步形成薄膜。一定时间后固化Ga液滴被覆盖，形成表面均匀、光滑的GaAs薄膜。本发明实现了在价格便宜的Si（111）衬底上制备高质量的GaAs晶体薄膜；外延层与衬底应力很小，且界面处的位错和缺陷密度被大幅度减小；外延生长为原位生长，不需要引入其它工艺，无外部污染杂质引入，制备工艺简单。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
