磁共振成像装置、RF匀场方法以及磁共振成像方法
- 专利权人:
- 株式会社日立制作所
- 发明人:
- 伊藤公辅,泷泽将宏
- 申请号：
- CN201611106574.2
- 公开号：
- CN106940431B
- 申请日:
- 2016.05.12
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2019
- 代理人:
- 摘要：
- 为了MRI装置的摄像部使用包含对第一区域进行激励的预备RF脉冲、和对与上述第一区域不同的第二区域进行激励的激励RF脉冲在内的高频脉冲来收集NMR信号,算出对由从多个通道照射的高频脉冲产生的照射磁场分布进行调整的匀场参数的匀场参数算出部对预备RF脉冲和激励RF脉冲分别设定不同的匀场参数,摄像部使用以不同的匀场参数调整后的预备RF脉冲和激励RF脉冲来进行摄像。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
