サファイア単結晶育成用ダイ及びダイパック、サファイア単結晶育成装置、サファイア単結晶の育成方法
- 专利权人:
- 並木精密宝石株式会社
- 发明人:
- 斎藤 弘倫,矢口 洋一
- 申请号：
- JP20160117713
- 公开号：
- JP2017075083(A)
- 申请日:
- 2016.06.14
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】ＥＦＧ法によるサファイア単結晶の育成に使用するダイ上面の曲率Ｒを、長い時間やコストをかけることなく迅速に決定することにより、大口径かつ結晶品質に優れたサファイア単結晶及びサファイア基板を提供すること。並びに、ＥＦＧ法によるサファイア単結晶の育成に用いられるダイ及びダイパックと、サファイア単結晶の育成方法を提供すること。【解決手段】ＥＦＧ法によるサファイア単結晶の育成に使用するダイであって、上面が長手方向に曲率Ｒを有し、前記曲率Ｒが長手方向の幅Ｗの５倍以下であることを特徴とするダイを用いる。【選択図】 図１
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
