The present invention, capacitive micromachined transducer 100, a method for manufacturing a particular CMUT. Method includes depositing a first electrode layer 10 on the substrate 1, the steps of depositing a first dielectric film 20 on the first electrode layer 10, the first dielectric film 20 a step of depositing a sacrificial layer 30 can be removed to form a cavity 35 of the transducer above, and depositing a second dielectric layer 40 on the sacrificial layer 30, the second dielectric film 40 I includes the steps of depositing a second electrode layer 50 on top, and a step of patterning at least one of the layers is deposited and a membrane 20, 30, 40, 50. Deposition step is performed by atomic layer deposition. The present invention, capacitive micromachined transducer 100 is manufactured by such methods further relates especially CMUT. .本発明は、容量型微細加工トランスデューサ100、特にCMUTの製造方法に関する。方法は、基板1の上に第1の電極層10を堆積させるステップと、第1の電極層10の上に第1の誘電体膜20を堆積させるステップと、第1の誘電体膜20の上にトランスデューサのキャビティ35を形成するために除去可能な犠牲層30を堆積させるステップと、犠牲層30の上に第2の誘電体膜40を堆積させるステップと、第2の誘電体膜40の上に第2の電極層50を堆積させるステップと、堆積された層及び膜10、20、30、40、50のうちの少なくとも1つをパターニングするステップとを含む。堆積ステップは原子層堆積法により実行される。本発明は、かかる方法によって製造された容量型微細加工トランスデューサ100、特にCMUTに更に関する。
