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SONOS记忆单元的互补位干扰改进及充电改进用的袋型布植
- 专利权人:
- 斯班逊有限公司
- 发明人:
- E·H·林圭尼斯,N－C·A·王,S·哈达德,M·W·兰道夫,M·T·拉姆斯贝,A·马利克－马尔季罗相,E·F·朗尼恩,Y·何
- 申请号：
- CN200480040307.9
- 公开号：
- CN1947244A
- 申请日:
- 2004.12.17
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2007
- 代理人:
- 戈泊`程伟
- 摘要：
- 本发明揭示了一种形成至少一部分之双位内存核心数组的技术。开始时，在衬底(602)上形成部分电荷陷阱介电层(608)，且在该电荷陷阱介电层(608)的该部分上形成光刻胶(614)。在该光刻胶(614)中产生图样，且在一角度下执行袋型布植(630)，以便在该衬底(602)内建立若干袋型布植区(620)。然后执行位线布植(634)，以便在该衬底(602)内建立若干埋入位线(640)。然后去除产生图样的光刻胶，并形成该电荷陷阱介电层(608)的剩余部分。在该电荷陷阱介电层的该剩余部分之上形成字线材料(660)，并在该字线材料(660)中产生图样，以便在该等位线(640)之上形成若干字线(662)。除了其它的功能之外，该等袋型布植区(620)系用来减轻可能因半导体微缩而产生的互补位干扰(CBD)。因此，可藉由本说明书中述及的本发明之观念，而将半导体装置作得更小，且可得到更高的电路集积密度。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
