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一种基于DICE结构的改进SRAM存储单元
- 专利权人:
- 中国科学院微电子研究所
- 发明人:
- 刘梦新,刘鑫,赵发展,韩郑生
- 申请号：
- CN201410208999.9
- 公开号：
- CN103956184B
- 申请日:
- 2014.05.16
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 朱海波
- 摘要：
- 本发明提供了一种基于DICE结构的改进SRAM存储单元，该单元包括以下结构：4个反相器结构，所述反相器结构由PMOS管和NMOS管串联形成，PMOS管漏极和NMOS管漏极之间作为存储节点，每个存储节点控制其它反相器结构的一个NMOS管和另一个反相器结构的一个PMOS管的栅电压；传输结构，由4个NMOS管构成，其源极、栅极和漏极分别接位线/反相位线、字线和存储节点。本发明通过采用改进后的基于DICE结构的SRAM存储单元，避免了传统六管单元结构静态噪声容限小，传输易出错的缺陷，解决了现有基于DICE结构SRAM存储单元易受存储节点电平影响的问题，提高了存储单元的可靠性。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
