金属酸化物、及び当該金属酸化物を有する半導体装置
- 专利权人:
- 株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:
- 山崎 舜平,中島 基,馬場 晴之
- 申请号：
- JP20170134344
- 公开号：
- JP2018014494(A)
- 申请日:
- 2017.07.10
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】新規な金属酸化物を提供する。または、半導体装置に良好な電気特性を付与する。【解決手段】複数のエネルギーギャップを有する金属酸化物であって、金属酸化物は、伝導帯下端のエネルギー準位が高い第１の領域と、第１の領域よりも伝導帯下端のエネルギー準位が低い第２の領域と、を有し、第２の領域は、第１の領域よりもキャリアが多く、第１の領域と、第２の領域との伝導帯下端のエネルギー準位の差が０．２ｅＶ以上である。【選択図】図１
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
