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メモリスタを使用したMRIRFコイル
专利权人:
コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
发明人:
レイコウスキー,アルネ
申请号:
JP2012515583
公开号:
JP2012529953A
申请日:
2010.05.17
申请国别(地区):
JP
年份:
2012
代理人:
摘要:
Radio frequency used by (10) a magnetic resonance system (RF) coil assembly (18, 18 ), even after the radio frequency coil (42), the control signal is removed, respectively, the resistance state of the selected including memory a plurality of resistance elements to hold and (46,56,62,72). Detuning circuit which is part of the radio frequency coil assembly (44) includes (46) memory resistor element for switching the radio frequency coil between the detuning and state tuning state. Blanking circuit connected between the preamplifier and the radio frequency coil (52) (54) includes (56) a storage element resistance to short circuit the input of the preamplifier. Multiplexer circuit (60) comprises (62) the memory a plurality of resistance elements to selectively bind to the receiver (26) to the selected output of the radio frequency coil. The bias circuit (27) generates a control signal for setting the second resistance state first resistance state, during the receive mode to the transmit mode, the memory resistance elements (46, 56).磁気共鳴システム(10)にて使用される無線周波数(RF)コイルアセンブリ(18、18’)は、無線周波数コイル(42)と、制御信号が除去された後にも、各々、選択された抵抗状態を保持する複数の記憶抵抗素子(46、56、62、72)とを含む。無線周波数コイルアセンブリの一部であるデチューニング回路(44)は、同調状態と離調状態との間で無線周波数コイルを切り換える記憶抵抗素子(46)を含む。無線周波数コイルと前置増幅器(52)との間に接続されるブランキング回路(54)は、前置増幅器の入力を回路短絡させる記憶抵抗素子(56)を含む。マルチプレクサ回路(60)は、無線周波数コイルの選択された出力を受信器(26)に選択的に結合する複数の記憶抵抗素子(62)を含む。バイアス回路(27)は、記憶抵抗素子(46、56)を、送信モード中に第1抵抗状態、受信モード中に第2抵抗状態に設定する制御信号を生成する。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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