一种聚合物芯片微通道内表面予处理的方法
- 专利权人:
- 中国科学院大连化学物理研究所
- 发明人:
- 王辉,盖宏伟,白吉玲,林炳承
- 申请号：
- CN02132623.1
- 公开号：
- CN1469120A
- 申请日:
- 2002.07.18
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2004
- 代理人:
- 张晨
- 摘要：
- 一种聚合物芯片微通道内表面预处理的方法，其特征在于：在使用前对聚合物芯片进行预电泳以改变微通道内表面的性质，使微通道内电渗流的大小或方向改变；预电泳时将表面活性剂添加在运行缓冲液中，表面活性剂包括：阴离子表面活性剂，阳离子表面活性剂，两性离子表面活性剂，中性分子表面活性剂。本发明方法可以根据芯片毛细管电泳分离的需要，对芯片微通道内表面进行预处理，随意调节聚合物芯片微通道内电渗流的大小包括方向。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
