温度增益均衡器
- 专利权人:
- 电子科技大学
- 发明人:
- 杨漫菲,王磊,马凯文,陈庆,方堃
- 申请号：
- CN201710196502.X
- 公开号：
- CN107147369A
- 申请日:
- 2017.03.29
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公开了一种适用于CMOS和BiCMOS工艺的温度增益均衡器。该均衡器包括了一个电压变换模块和一个衰减模块。所述温度增益均衡器使用NMOS晶体管替代原衰减网络的电阻，利用电压变换模块产生不同的栅极电压控制晶体管。单个均衡器在‑55℃～125℃工作温度下可均衡增益3dB。均衡器驻波良好，面积极小，可在不影响原系统布局的前提下，对系统进行增益均衡。该方案适用于毫米波单片集成电路领域，对军事作战及航空航天的电路系统有极大的应用价值。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
