DONGGUK UNIVERSITY INDUSTRY-ACADEMIC COOPERATION FOUNDATION
发明人:
JEONG, Jong Seob,정종섭,KIM, Sung Min,김성민,SUNG, Jin Ho,성진호
申请号：
KRKR2015/011160
公开号：
WO2016/108409A1
申请日:
2015.10.21
申请国别(地区):
WO
年份:
2016
代理人:
摘要：
One embodiment of the present invention provides a method for manufacturing an intravascular ultrasound (IVUS) transducer, and the IVUS transducer. The method according to one embodiment of the present invention can comprise: a step of generating an IVUS stack by stacking a matching layer, a piezoelectric element and a sound-absorbing layer a sub-dicing step of removing a portion of the sound-absorbing layer in the IVUS stack by using a cutting machine a step of filling a tooth kerf of the sound-absorbing layer with a non-conductive material, the tooth kerf having been created through the sub-dicing and a step of generating at least one single-element IVUS stack by dicing the IVUS stack into a predetermined size by means of the cutting machine, after hardening the non-conductive material used for filling.Un mode de réalisation de la présente invention concerne un procédé de fabrication dun transducteur ultrasonore intravasculaire (IVUS), et le transducteur IVUS. Le procédé selon un mode de réalisation de la présente invention peut comprendre : une étape de génération dun empilement IVUS par empilement dune couche dadaptation, dun élément piézo-électrique et dune couche dabsorption sonore une étape de sous-découpage consistant à retirer une partie de la couche dabsorption sonore dans lempilement IVUS en utilisant une machine de coupe une étape de remplissage dune entaille de la couche dabsorption sonore avec un matériau non conducteur, lentaille ayant été créée par le sous-découpage et une étape de génération dau moins un empilement IVUS à élément unique par découpage de lempilement IVUS en une taille prédéterminée au moyen de la machine de coupe, après durcissement du matériau non conducteur utilisé pour le remplissage.본 발명의 일 실시예로서, 혈관 내 초음파 (IVUS) 변환자의 제조 방법 및 그 IVUS 변환자가 제공될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 방법은 정합층, 압전소자, 흡음층을 적층하여 IVUS 스택을 생성하는 단계, 절삭기기를 이용하여 IVUS 스택 중 흡음층의 일부를 제거하는 서브다이싱 단계, 서브다이싱을 통하여 생성된 흡음층의 치폭에 비전도성 물질을 충전하는 단계 및 충전된 비전도성 물질의 경화 후, 절삭기기를 이용하여 소정의 크기로
