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预塌陷的电容微机械超声传感器的制造及其应用
- 专利权人:
- 皇家飞利浦电子股份有限公司
- 发明人:
- P·迪克森,A·范德卢格特
- 申请号：
- CN200880108270.7
- 公开号：
- CN101969856B
- 申请日:
- 2008.09.17
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2013
- 代理人:
- 摘要：
- 提供了用于制造预塌陷的电容微机械超声传感器(cMUT)的方法。公开的方法通常包括以下步骤：在刻蚀和密封膜之前获得接近完成的传统cMUT结构；穿过cMUT结构的膜给相对于膜的顶面固定的每个电极环限定孔；跨cMUT结构的膜和基底施加偏置电压，使得膜的邻近孔的区域向或朝向基底塌陷；通过施加包装层而将膜的塌陷的区域固定和密封至基底；以及中断或减小偏置电压。提供了CMUT组件，包括封装的组件、具有集成电路/芯片(例如束操控芯片)和cMUT/透镜组件的集成组件。提供了利用公开的预塌陷的cMUT的基于cMUT的有益应用，例如基于超声传感器的应用、基于导管的应用、基于针的应用以及流量计应用。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
