This solid-state image pickup element has a semiconductor layer, an electrode, a wiring layer, a plurality of filters, an input terminal, and a voltage generation circuit. The voltage generation circuit generates a first voltage and a second voltage on the basis of a reference voltage inputted to the input terminal. The filters include a first filter and a second filter. The light transmittance of the first filter has a peak in a wavelength range corresponding to blue. The light transmittance of the second filter has a peak at a wavelength equal to or more than 450 nm, and in the second filter, the transmittance of light having a wavelength equal to or less than 450 nm is larger than the minimum value of the transmittance of light having a wavelength loner than 450 nm. The first voltage and the second voltage are selectively applied to the electrode.Lélément de capture dimage à semi-conducteur de linvention a une couche semi-conductrice, une électrode, une couche de câblage, une pluralité de filtres, une borne dentrée, et un circuit de génération de tension. Le circuit de génération de tension génère une première tension et une seconde tension sur la base dune tension de référence appliquée à la borne dentrée. Les filtres comprennent un premier filtre et un second filtre. La transmittance du premier filtre a un pic dans une plage de longueur donde correspondant au bleu. La transmittance du second filtre a un pic à une longueur donde supérieure ou égale à 450 nm, et dans le second filtre, la transmittance ayant une longueur donde inférieure ou égale à 450 nm est supérieure à la valeur minimale de la transmittance ayant une longueur donde inférieure à 450 nm. La première et la seconde tension sont sélectivement appliquée à lélectrode.固体撮像素子は、半導体層と、電極と、配線層と、複数のフィルタと、入力端子と、電圧生成回路とを有する。前記電圧生成回路は、前記入力端子に入力された基準電圧に基づいて第1の電圧と第2の電圧とを生成する。前記複数のフィルタは、第1のフィルタと第2のフィルタとを含む。前記第1のフィルタの光の透過率は、青に対応する波長範囲においてピークを有する。前記第2のフィルタの光の透過率は450nm以上の波長においてピークを有し、かつ前記第2のフィルタにおいて、波長が450nm以下である光の透
