The solid-state imaging device includes a semiconductor layer, an electrode, a wiring layer, a plurality of filters, an input terminal, and a voltage generation circuit. The voltage generation circuit generates a first voltage and a second voltage based on a reference voltage input to the input terminal. The plurality of filters include a first filter and a second filter. The light transmittance of the first filter has a peak in the wavelength range corresponding to blue. The transmittance of light of the second filter has a peak at a wavelength of 450 nm or more, and the transmittance of light having a wavelength of 450 nm or less in the second filter is the transmission of light having a wavelength longer than 450 nm. Greater than the minimum rate. The first voltage and the second voltage are selectively applied to the electrodes.固体撮像素子は、半導体層と、電極と、配線層と、複数のフィルタと、入力端子と、電圧生成回路とを有する。前記電圧生成回路は、前記入力端子に入力された基準電圧に基づいて第１の電圧と第２の電圧とを生成する。前記複数のフィルタは、第１のフィルタと第２のフィルタとを含む。前記第１のフィルタの光の透過率は、青に対応する波長範囲においてピークを有する。前記第２のフィルタの光の透過率は４５０ｎｍ以上の波長においてピークを有し、かつ前記第２のフィルタにおいて、波長が４５０ｎｍ以下である光の透過率は、波長が４５０ｎｍよりも長い光の透過率の最小値よりも大きい。前記第１の電圧と前記第２の電圧とが前記電極に選択的に印加される。
