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薄膜試料加工方法
- 专利权人:
- 日本電子株式会社
- 发明人:
- 三平 智宏
- 申请号：
- JP20150228335
- 公开号：
- JP2017096735(A)
- 申请日:
- 2015.11.24
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】電子顕微鏡観察用試料作製時に、集束イオンビーム加工の熱により薄膜部に変形が発生してしまう場合があった。本発明の目的は、薄膜部の変形を緩和修正した後、集束イオンビームによって薄膜部の薄膜化加工を行っても、薄膜部の変形が発生しない試料の薄膜化を可能にする方法を提供する。【解決手段】集束イオンビーム２により薄膜化する過程で、集束荷電粒子ビームによって試料９の保持部９３に繋がる薄膜部９２の一方の端を保持部９３から切断あるいは薄膜部９２に切り込みを入れた後、この切断部あるいは切り込み部を荷電粒子ビームデポジションにより埋め込み、薄膜部９２を集束イオンビーム２によりさらに薄膜化することによって薄膜試料を作製する。【選択図】図７
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
