This method for manufacturing a metal lattice comprises forming a depression in the principal face of a silicon substrate, forming a first insulation layer on the surface of the side on which the depression is formed, removing the first insulation layer formed on the bottom part of the depression, and embedding metal in the depression by an electroforming process. Here, before the metal is embedded in the depression by the electroforming process, a second insulation layer is formed in a portion adjoining an edge part of the depression. Consequently, this method for manufacturing a metal lattice enables the metal portion of the lattice to be formed more compactly by the electroforming process. The present invention also provides a metal lattice manufactured by this method for manufacturing a metal lattice, and provides an X-ray imaging apparatus that uses the metal lattice.La présente invention se rapporte à un procédé permettant la fabrication dune grille métallique, qui consiste à former un creux dans la face principale dun substrat en silicium, à former une première couche isolante sur la surface de la face sur laquelle est formé le creux, à enlever la première couche isolante formée sur la partie inférieure du creux et à incorporer un métal dans le creux au moyen dun procédé délectroformage. Ainsi, avant que le métal ne soit incorporé dans le creux au moyen du procédé délectroformage, une seconde couche isolante est formée dans une partie voisine dune partie périphérique du creux. Par conséquent, ce procédé pour fabriquer une grille métallique permet à la partie métallique de la grille dêtre formée de manière plus compacte par le procédé délectroformage. La présente invention se rapporte également à une grille métallique fabriquée par ce procédé permettant de fabriquer une grille métallique et concerne un appareil dimagerie à rayons X qui utilise la grille métallique.本発明の金属格子の製造方法は、シリコン基板の主面に凹部を形成し、この凹部を形成した側の表面に第1絶縁層を形成し、凹部の底部に形成された第1絶縁層を除去し、そして、電鋳法によって前記凹部に金属を埋
