A method of producing a crystalline form C of romidepsin comprising characteristic XRPD peaks at approximately 8.28, 11.45, 12.19 and 21.13 degrees 2θ, the method comprising series seeding of saturated form A of romidepsin with solids containing form C of romidepsin, where serial seeding comprises at least three sequential seeding procedures.Un procedimiento para producir una forma C cristalina de romidepsina que comprende picos de XRPD característicos a aproximadamente 8,28, 11,45, 12,19 y 21,13 grados 2θ, comprendiendo el procedimiento la siembra en serie de disolución saturada de la forma A de romidepsina con sólidos que contienen la forma C de romidepsina, en donde la siembra en serie comprende al menos tres procedimientos de siembra secuenciales.
