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이온클러스터 발생장치
专利权人:
SUDO PREMIUM ENGINEERING CO.; LTD.
发明人:
KIM, Yu Man,김유만,JIN, Hee Sung,진희성,AHN, Mo ha,안모하,PARK, Young Man,박영만
申请号:
KRKR2011/004711
公开号:
WO2012/002703A3
申请日:
2011.06.28
申请国别(地区):
WO
年份:
2012
代理人:
摘要:
The invention relates to an apparatus for generating ion clusters, comprising: a high-voltage-generating unit which generates high voltages for plasma discharge a case in which the high-voltage-generating unit is embedded a discharge plate which is arranged over an upper surface of the case and spaced apart therefrom, and which receives high voltages applied thereto and generates ion clusters by means of plasma discharge and a ground member, one side of which is connected to the ground of an electric circuit unit and the other side of which is elastically connected to the discharge plate in the gap between the upper surface of the case and the discharge plate.La présente invention a trait à un appareil permettant de générer des grappes dions, lequel appareil comprend : une unité de génération de haute tension qui génère des hautes tensions pour la décharge de plasma un boîtier qui permet de loger lunité de génération de haute tension une plaque de décharge qui est agencée au-dessus dune surface supérieure du boîtier, qui est espacée de cette dernière, qui reçoit de hautes tensions appliquées sur celle-ci et qui génère des grappes dions au moyen de la décharge de plasma et un élément de masse, dont un côté est connecté à la masse dune unité de circuit électrique et dont lautre côté est connecté de façon élastique à la plaque de décharge dans lespace situé entre la surface supérieure du boîtier et la plaque de décharge.이온클러스터 발생장치는 플라즈마 방전을 위한 고전압을 발생하는 고전압 발생부와, 상기 고전압 발생부가 내장되어있는 케이스와, 상기 케이스의 상부면상에 이격되어 배치되고 상기 고전압이 인가되어 플라즈마 방전에 의해 이온클러스터를 발생하는 방전플레이트와, 상기 케이스의 상부면과 상기 방전플레이트와의 이격 공간 내에서 그의 일측이 상기 전기회로부의 접지에 연결되고, 타측이 상기 방전플레이트와 탄성적으로 접속되는 접지용 부재를 포함한다.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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