In the disclosed metal lattice (DG) and the manufacturing method for the same, slit grooves are formed, by means of dry etching, in p-type silicon sections (12a) attached to an n-type silicon layer (11) so as to at least reach the n-type silicon layer (11). By means of electroforming the slit grooves are buried into metal and metallic sections (12b) are formed. Thus, a metal lattice (DG) having such a structure, and the manufacturing method for the same use a silicon substrate and enable the metallic sections of a lattice to be formed with greater fine detail by means of electroforming.La présente invention concerne un treillis métallique (DG) et son procédé de fabrication, dans lesquels des rainures fendues sont formées par gravure sèche dans des sections de silicium de type p (12a) fixées à une couche de silicium de type n (11) de manière à au moins atteindre la couche de silicium de type n (11). Lélectroformage permet denterrer les rainures fendues dans du métal et des sections métalliques (12b) sont formées. Ainsi, un treillis métallique (DG) présentant une telle structure et son procédé de fabrication utilisent un substrat en silicium et permettent aux sections métalliques dun treillis dêtre formées avec une plus grande finesse de détail par électroformage.本発明にかかる金属格子DGおよびその製造方法では、n型シリコン層11に付けられたp型シリコン部分12aに、ドライエッチング法によってn型シリコン層11に少なくとも到達するスリット溝が形成され、電鋳法によって前記スリット溝が金属で埋められて金属部分12bが形成される。したがって、このような構成の金属格子DGおよびその製造方法は、シリコン基板を用い、電鋳法によって格子の金属部分をより緻密に形成することができる。
