自调整结合力的柔性电子系统的制备方法
- 专利权人:
- 清华大学
- 发明人:
- 冯雪,李航飞,刘鑫,韩志远
- 申请号：
- CN201911076346.9
- 公开号：
- CN110786845B
- 申请日:
- 2019.06.11
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2020
- 代理人:
- 摘要：
- 提供一种自调整结合力的柔性电子系统的制备方法,其包括:制备变形柔性基底:制备变形柔性基底以使其具有液腔、膜基衬底和承载于所述膜基衬底的结合体阵列,所述膜基衬底形成所述液腔的腔壁,所述结合体阵列用于与结合对象接触并施加结合力;向所述液腔填充易挥发物质,然后密封所述液腔,所述易挥发物质在常温下处于液态;以及在所述变形柔性基底上结合发热器件;当所述发热器件发热时,所述易挥发物质受热并挥发成气态,所述膜基衬底向所述液腔的外部鼓起,所述结合体阵列变形从而所述结合力减小。该自调整结合力的柔性电子系统具有自主调控的特点,其可以方便的从结合对象脱开而不损坏内部的电子器件。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
