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一种双孢菇培植工艺
- 专利权人:
- 沈蓉蓉
- 发明人:
- 沈蓉蓉
- 申请号：
- CN202010532866.2
- 公开号：
- CN111699914A
- 申请日:
- 2020.06.11
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2020
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公开了一种双孢菇培植工艺，其特征在于：包括如下制备步骤：步骤一：播种及菌丝培养；步骤二：覆草炭土；步骤三：搔菌：当菌丝穿透草炭土厚度的70‑80％时，使用耙将草炭土表面2cm左右厚度耙松；步骤四：对培养床床面上的多余的草炭土用耙工具除掉，此步骤中，室温控制在25℃，料温控制在27℃以下，湿度控制在95％，二氧化碳浓度15000‑16000ppm，保持12‑24小时。优点是：搔菌步骤中，用耙将草炭土耙松，主要目的是想将直径大于3㎝的草炭土打散，使菌丝可以更加容易和均匀的向外生长，以利于菇蕾均匀的扭结；在调整步骤中，使用耙将床面上多余的草炭土拔掉，使长出床面的菌丝更均匀，让整个栽培室整齐扭结，为以后的统一管理、集中采摘打下基础。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
