An ultrasonic transducer comprises a piezoelectric wafer (1) and backing layers, the backing layers including a high impedance backing layer (2a) and a low impedance backing layer (2b). The back surface of the piezoelectric wafer is connected with the front surface of the high impedance backing layer, and the back surface of the high impedance backing layer is connected with the front surface of the low impedance backing layer. High reflection is generated at the border of the high and low impedance backing layers, therefore more sonic waves are reflected to the piezoelectric wafer, improving the sensitivity of the ultrasonic transducer.L'invention concerne un transducteur à ultrasons qui comprend une plaquette piézoélectrique (1) et des couches de support, les couches de support comprenant une couche de support à haute impédance (2a) et une couche de support à faible impédance (2b). La surface arrière de la plaquette piézoélectrique est connectée à la surface avant de la couche de support à haute impédance et la surface arrière de la couche de support à haute impédance est connectée à la surface avant de la couche de support à faible impédance. Une réflexion élevée est générée au niveau de la bordure des couches de support à haute et faible impédance, et plusieurs ondes sonores sont par conséquent réfléchies vers la plaquette piézoélectrique, ce qui permet d'améliorer la sensibilité du transducteur à ultrasons.一种超声换能器包括压电晶片（1）及背衬层，背衬层包括高阻抗背衬层（2a）和低阻抗背衬层（2b）。压电晶片的后表面与高阻抗背衬层的前表面连接，高阻抗背衬层的后表面与低阻抗背衬层的前表面连接。高阻抗背衬层和低阻抗背衬层的交界处会产生强反射，因而较多声波反射回压电晶片，提高了超声换能器的灵敏度。
