According to the present invention, a digital X-ray detecting apparatus is composed of an oxide semiconductor layer of a thin film transistor and a plurality of interlayer insulating layers disposed on a gate electrode. Additionally, the digital X-ray detecting apparatus is formed to seal the side surface of the oxide semiconductor layer. So, it is possible to effectively prevent hydrogen from penetrating into the oxide semiconductor layer. The interlayer insulating layers are composed of a first interlayer insulating layer and a second interlayer insulating layer thereon.본 발명의 디지털 엑스레이 검출장치에서는 박막트랜지스터의 산화물반도체층과 게이트전극 위에 배치되는 층간절연층의 복수의 층으로 구성할 뿐만 아니라 상기 층간절연층이 산화물반도체층의 측면 역시 밀봉하도록 형성하여 외부로부터 산화물반도체층으로 수소가 침투하는 것을 효율적으로 방지하는 것으로, 층간절연층은 제1층간절연층과 그 상부의 제2층간절연층으로 구성된다.
