A technique is provided which, without decreasing the opening ratio of an imaging panel, decreases the pattern defects in the drain electrode of thin film transistors and the data lines in the imaging panel. This imaging panel images scintillation converted by a scintillator from x-rays passing through an imaging target. In each pixel (13), the imaging panel is provided with multiple gate lines (11) and multiple data lines (12). The imaging panel is provided with a conversion element (15) which converts scintillation into an electric charge, and a thin film transistor (14) which is connected to a gate line (11), a data line (12) and the conversion element (15). The drain electrode (144) is formed such that the edges (144E1, 144E2) of the drain electrode (144) of the thin film transistor (14) that are near a data line (12) are disposed more to the inside of the pixel (13) than the edges (15E1, 15E2) of the conversion element (15) that are near a data line (12).La présente invention porte sur une technique qui, sans diminuer le rapport d'ouverture d'un panneau d'imagerie, diminue les défauts de motif dans l'électrode de drain de transistors en couches minces et les lignes de données dans le panneau d'imagerie. Ce panneau d'imagerie représente des images de scintillation converties par un scintillateur à partir de rayons X traversant une cible d'imagerie. Dans chaque pixel (13), le panneau d'imagerie comporte de multiples lignes de grille (11) et de multiples lignes de données (12). Le panneau d'imagerie comporte un élément de conversion (15) qui convertit une scintillation en une charge électrique, et un transistor en couches minces (14) qui est connecté à une ligne de grille (11), une ligne de données (12) et l'élément de conversion (15). L'électrode de drain (144) est formée de telle sorte que les bords (144E1, 144E2) de l'électrode de drain (144) du transistor en couches minces (14) qui sont à proximité d'une ligne de données (12) sont disposés plus vers l'intérieu
