An ultrasonic element (20) is equipped with: a silicon substrate (11)； a lower electrode layer (12) having a plurality of lower electrode parts (12A) and a plurality of lower wiring parts (12B) and connected to a lower electrode terminal (52) to which a drive signal and a bias signal are applied； a lower insulating layer (13)； an upper insulating layer (15) on which a plurality of cavities (14) that are smaller than the lower electrode parts (12A) are formed； an upper electrode layer (16) which is disposed facing the lower electrode parts (12A) via the cavities (14), has a plurality of upper wiring parts (16B) and a plurality of upper electrode parts (16A) that are smaller than the lower electrode parts (12A) but larger than the cavities (14), and which is connected to an upper electrode terminal (51) of ground potential for detecting a capacity signal； and a protective film (17).La présente invention concerne un élément ultrasonique (20) qui est équipé : d'un substrat de silicium (11) ； d'une couche électrode inférieure (12) qui comporte une pluralité de parties électrodes inférieures (12A) et une pluralité de parties câblages inférieures (12B) et est connectée à une borne d'électrode inférieure (52) sur laquelle un signal d'excitation et un signal de polarisation sont appliqués ； d'une couche isolante inférieure (13) ； d'une couche isolante supérieure (15) sur laquelle une pluralité de cavités (14) qui sont plus basses que les parties électrodes inférieures (12A) sont formées ； d'une couche électrode supérieure (16) qui est disposée pour faire face aux parties électrodes inférieures (12A) par l'intermédiaire des cavités (14), comporte une pluralité de parties câblages supérieures (16B) et une pluralité de parties électrodes supérieures (16A) qui sont plus basses que les parties électrodes inférieures (12A) mais plus grandes que les cavités (14), et qui est connectée à une borne d'électrode supérieure (51) de potentiel de terre pour détecter un signal de capacité ；
