具有低介电常数的聚合物及降低聚合物介电常数的分子结构设计方法
- 专利权人:
- 中山大学
- 发明人:
- 张艺,钱超,许家瑞,贝润鑫,刘四委,池振国
- 申请号：
- CN201710083465.1
- 公开号：
- CN107057065A
- 申请日:
- 2017.02.16
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 周端仪
- 摘要：
- 本发明公开了一种具有低介电常数的聚合物及降低聚合物介电常数的分子结构设计方法，其利用聚合物分子链侧基的可设计性，在侧基苯环或联苯基链段结构间位引入直链刚性基团，通过侧基苯环的松弛旋转在材料中形成更大尺寸的自由体积空穴，抑制分子链堆积，进而降低聚合物材料介电常数。本发明的设计方法简单，适用于常见的高性能聚合物材料，可应用于制备低介电聚合物材料，适用于电子、微电子、信息以及航空航天等高新技术产业领域，特别是超大规模集成电路领域。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
