一种低介电常数α‑Si₃N₄多孔陶瓷的制备方法

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专利权人:

盐城工学院

发明人:

郭伟,刘甜甜,苏志发,蒋金海

申请号：

CN201710109933.8

公开号：

CN106866156A

申请日:

2017.02.28

申请国别(地区):

中国

年份:

2017

代理人:

施翔宇

摘要：

本发明公开了一种低介电常数α‑Si₃N₄多孔陶瓷的制备方法，按照如下步骤进行：a、以稻壳为原料，制备得到碳硅质前驱体，再添加α‑Si₃N₄粉体、烧结助剂，组成陶瓷原料；b、将凝胶物质和分散剂分散在去离子水中，与上述陶瓷原料混合，球磨4‑8h后取出，真空除泡10‑30min，形成浆料；然后水浴加热至40‑80℃，使浆料中的凝胶物质完全溶解，其中浆料的固相含量为35‑60％；c、将上述料浆注入预热的模具中，进行注凝成型，脱模干燥，得到坯体；最后烧结自然冷却至室温，即获得低介电常数α‑Si₃N₄多孔陶瓷。

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/