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中性子照射シリコン単結晶の製造方法
- 专利权人:
- 株式会社ＳＵＭＣＯ
- 发明人:
- 早川 裕
- 申请号：
- JP20160136622
- 公开号：
- JP2018008830(A)
- 申请日:
- 2016.07.11
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】正確に目標抵抗率を有する中性子照射シリコン単結晶を得ることができる中性子照射シリコン単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】育成されたシリコン単結晶のインゴットに固有条件の下で中性子を照射し、リンをドーピングすることで所定の抵抗率のシリコン単結晶を製造する方法において、前記所定の抵抗率を得るための目標中性子照射量を算出するにあたり、前記固有条件の下、シリコン単結晶毎に中性子照射量が異なる複数の中性子照射量を設定して中性子を照射し、各中性子照射量について得られた、複数の前記ドーピングされたシリコン単結晶の抵抗率を測定し、前記中性子照射量と前記抵抗率との関係を示す検量線を予め求めておき、前記検量線による抵抗率が前記所定の抵抗率になる中性子照射量を含む所定範囲の値を、前記
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
