치아 법랑질 상에서 내산성 층을 성장시키는 방법

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专利权人:

카오 그룹, 인코포레이티드

发明人:

젠센 스티븐 디.

申请号：

KR1020187006612

公开号：

KR1020180041153A

申请日:

2016.08.11

申请国别(地区):

KR

年份:

2018

代理人:

摘要：

The method of reducing tooth decay can include growing one or more acid-resistant layers on tooth enamel. The acid resistant layer may comprise a monofluorophosphate anion. For example, the acid resistant layer may comprise calcium monofluorophosphate. The acid-resistant layer can be grown by transferring the 2-part compound to the tooth enamel.충치를 감소시키는 방법은 하나 또는 그 이상의 내산성 층을 치아 법랑질 상에서 성장시키는 것을 포함할 수 있다. 내산성 층은 모노플루오로인산염 음이온을 포함할 수 있다. 가령, 내산성 층은 모노플루오로인산칼슘을 포함할 수 있다. 내산성 층은 2-부분 화합물을 치아 법랑질에 전달함으로써 성장될 수 있다.

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/