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高周波回路装置
- 专利权人:
- 株式会社日立国際電気
- 发明人:
- 山本 陽平,長谷 英一,加島 謙一,原本 亮喜
- 申请号：
- JP20150508109
- 公开号：
- JPWO2014156223(A1)
- 申请日:
- 2014.01.16
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 高周波モジュールのパッケージと導波管接続用の金属部材の熱膨張係数の違いによって起こる温度上昇時の誘電体基板への応力集中の発生を回避し、気密性を損なうことなく低損失で広帯域の高周波信号を導波管に取り出すことが可能な高周波回路装置を提供する。本発明の高周波回路装置１は、高周波通信可能な導波管−マイクロストリップ線路変換器において、アルミ製のシャーシ２０１とシャーシ２０１上部に当接された高周波モジュール１０を構成するメタル又はセラミック製のパッケージ１１とを有し、シャーシ２０１及びパッケージ１１内部底面を貫通するように導波管部が設けられ、パッケージ１１の気密性を保持するために、パッケージ１１の導波管部１１ａを遮断するように設けた誘電体基板１４を有し、誘電体基板１４は、シャーシ２０
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
