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하전 입자 발생용 타깃, 그 제조 방법 및 이를 이용한 치료 장치
专利权人:
ELECTRONICS AND TELECOMMUNICATIONS RESEARCH INSTITUTE
发明人:
PARK, HYUNG JUKR,박형주,PYO, HYEON BONGKR,표현봉,JUNG, MOON YOUNKR,정문연,KIM, SEUNG HWANKR,김승환
申请号:
KR1020120134672
公开号:
KR1020140067433A
申请日:
2012.11.26
申请国别(地区):
KR
年份:
2014
代理人:
摘要:
Provided are a target for generating charged particles and a treatment device using same. The treatment device includes: a target for generating charged particles including a target layer which generates charged particles by an incident laser beam and a self-assembled monolayer which is provided to one surface of both facing surfaces of the target layer and a laser which irradiates a laser beam to the self-assembled monolayer to generate charged particles from the target layer and project the particles to the tumor of a patient. The self-assembled monolayer generates plasma by a laser beam. The target layer generates charged particles by plasma.COPYRIGHT KIPO 2014하전 입자 발생용 타깃 및 이를 이용한 치료 장치가 제공된다. 이 치료 장치는 입사된 레이저 빔에 의해 하전 입자를 발생시키는 타깃층 및 타깃층의 서로 대향하는 양면들 중 하나의 면 상에 제공된 자기조립 단분자막층을 포함하는 하전 입자 발생용 타깃, 및 타깃층으로부터 하전 입자를 발생시켜 환자의 종양 부위로 투사하기 위해, 자기조립 단분자막층으로 레이저 빔을 입사시키기 위한 레이저를 포함한다. 자기조립 단분자막층은 레이저 빔에 의해 플라즈마를 형성하고, 그리고 타깃층은 플라즈마에 의해 하전 입자를 발생시킨다.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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