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宽气隙导磁回路装置
专利权人:
天津市鑫鹏科技发展有限公司
发明人:
齐燕松
申请号:
CN201320728907.0
公开号:
CN203663249U
申请日:
2013.11.15
申请国别(地区):
CN
年份:
2014
代理人:
摘要:
本实用新型提供一种宽气隙导磁回路装置,该装置的导磁体是由导磁片a、导磁片b、导磁片c、导磁片d、导磁片e分别叠加组合而成形导磁体,该导磁体的开口部为空气隙f,所述导磁片615mm≤a长+b宽≤700mm,590mm≤b长+c宽≤700mm,气隙f的间距最好为420mm。本实用新型的效果是使用该宽气隙导磁回路装置,在加大空气隙f的距离的同时,通过尺寸和结构的调整在磁场频率不变的情况下,使治疗仪的磁场强度从10-50mT提高到10-60mT,这种磁场强度的提高在临床医学应用上解决了以往治疗仪对颅内、腹腔及前列腺等人体深度器官和致密组织进行照射时治疗效果不佳的问题,能够实现患者治疗部位频率和强度的双重可调节,拓宽了该装置在人体深度器官和致密组织的临床应用范围。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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