Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung (1) zur Hydrophilierung von Zahnimplantaten (Z), aufweisend• eine Hochfrequenzquelle (HF),• einen dielektrischen Stützkörper (SK) zur zumindest abschnittsweisen Aufnahme eines Zahnimplantates (Z), wobei der dielektrische Stützkörper (SK) zumindest eine Windung eines elektrisch leitfähigen Materiales (L1) auf einer dem Zahnimplantat (Z) abgewandten Seite des dielektrischen Stützkörpers (SK) aufweist,• wobei in Betrieb die Hochfrequenzquelle (HF) mit der zumindest einen Windung (L1) in elektrischem Kontakt steht, um eine dielektrische behinderte Plasmaentladung (P) auf der Innenseite des dielektrischen Stützkörpers zu bewirken, sodass das dabei entstehende kalte Plasma die Oberfläche eines in den Plasmawirkungsbereiches eingeführten Zahnimplantates (Z) hydrophiliert.Weiterhin betrifft die Erfindung eine Verwendung einer Vorrichtung (1) zur Generierung einer dielektrisch behinderten Plasmaentladung zur Hydophilierung von Implantaten für den menschlichen oder tierischen Körper, insbesondere zur Hydophilierung von Zahnimplantate aus Titan.the invention relates to a device (1) for hydrophilierung of dental implants (z), aufweisend\u2022 a hochfrequenzquelle (hf) - a dielectric st\u00fctzk\u00f6rper (sk) to at least abschnittsweisen inclusion of a zahnimplantates (z), and the dielectric st\u00fctzk\u00f6rper (sk) at least one convolution of an electrically conductive materials (e l1) on the dental implant (z) far side of the dielectric st\u00fctzk\u00f6rpers (sk) is - and operation hochfrequenzquelle (hf) with the at least one winding (l1) in electrical contact, a dielectric disabled plasmaentladung (p) on the inside of the dielectric st\u00fctzk\u00f6rpers to achieve, so that the resulting cold plasma, the surface of the plasmawirkungsbereiches imported zahnimplantates (z) hydrophiliert.the invention also relates to a use of a device (1) for generating a dielektrisch disabled plasmaentladung to hydophilierung implant for the human o
