According to a radiation detector manufacturing method, a radiation detector and a radiographic apparatus of this invention, Cl-doped CdZnTe is employed for a conversion layer, with Cl concentration set to 1ppmwt to 3ppmwt inclusive, and Zn concentration set to 1mol% to 5mol% inclusive. This can form the conversion layer optimal for the radiation detector. Consequently, the radiation detector manufacturing method, the radiation detector and the radiographic apparatus can be provided which can protect the defect level of crystal grain boundaries by Cl doping in a proper concentration, and can further maintain integral sensitivity to radiation, while reducing leakage current, by Zn doping in a proper concentration.본 발명의 방사선 검출기의 제조 방법 및 방사선 검출기 및 방사선 촬상 장치에 의하면, 변환층에 Cl 도프 CdZnTe를 채용하고, Cl 농도를 1ppmwt 이상 3ppmwt 이하로 하고, Zn 농도를 1mol% 이상 5mol% 이하로 함으로써, 방사선 검출기로서 최적인 변환층을 형성할 수 있다. 이로부터, 적정한 농도의 Cl을 도프함으로써 결정입계의 결함 준위를 보호할 수 있으며, 또한, 적정한 농도의 Zn을 도프함으로써 누설 전류를 저감하면서도 방사선의 적분 감도를 유지할 수 있는 방사선 검출기의 제조 방법 및 방사선 검출기 및 방사선 촬상 장치를 제공할 수 있다.
