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Radiation detector having a plurality of conversion layer, X-ray detector and an image forming system
专利权人:
コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ
发明人:
ヘールマン クリストフ,ボイメール クリスチャン,ステッドマン ボーケル ロヘル,ツァイトラー ギュンター
申请号:
JP2010523624
公开号:
JP5697982B2
申请日:
2008.09.05
申请国别(地区):
JP
年份:
2015
代理人:
摘要:
As for this invention, as for this detector, (a) it confronts photon especially x-ray in regard to the radiation detector 100 for X and the line, it possesses the combination with one which possesses the high damping coefficient where at least one which possesses low damping coefficient main conversion layer 101a - 101f and, (b) it confronts photon secondary conversion layer 102 at least. In ideal execution example, as for main conversion layer 101a - 101f, it is possible to actualize related energy disassembly calculation electronic circuit 111a - 111f, with the silicon layer which is connected to 121. As for secondary conversion layer 102, for example, it is actualization possible with CZT or GOS which is connected to the energy disassembly calculation electronic circuit or the integrated electronic circuit. It is low, to consist the form which makes counting rate of each stratum actualization possible value limit without needing non realistic thin layer it is possible the lamination type radiation detector 100 for spectrum CT, by using the main conversion layer which has stopping power.本発明は、特にX線X及びγ線用の放射線検出器100に関し、この検出器は、(a)フォトンに対する低い減衰係数を有する少なくとも1つの主変換層101a~101fと、(b)フォトンに対する高い減衰係数を有する少なくとも1つの副変換層102との組み合わせを有する。好適実施例において、主変換層101a~101fは、関連のエネルギ分解計数電子回路部111a~111f,121に結合したシリコン層により実現することができる。副変換層102は、例えば、エネルギ分解計数電子回路部又は統合電子回路部に結合したCZT又はGOSにより実現可能である。低阻止能を持つ主変換層を用いることにより、スペクトルCTのための積層型放射線検出器100を、各層の計数率を非現実的な薄い層を必要とすることなく実現可能な値に限定させた形態で構成することができる。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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