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一种高Cd富集量的滇楸选育方法
- 专利权人:
- 湖南省林业科学院
- 发明人:
- 童方平,刘振华,李贵,陈瑞,吴敏
- 申请号：
- CN202010710958.5
- 公开号：
- CN111820023A
- 申请日:
- 2020.07.22
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2020
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公开了一种高Cd富集量的滇楸选育方法：从Cd污染土壤上生长的滇楸树中随机选取若干茎、叶样品，并测定Cd富集量；分别从Cd富集量相对较大的样品对应的滇楸树上采集根段和枝条；将各组滇楸根段和枝条分别进行扦插，得到若干组滇楸苗；在每组滇楸苗中分别选出试验滇楸苗，种植于Cd污染地区，试验滇楸苗经过生长3‑5年后，测定其根、茎、叶器官中的Cd含量，选择根、茎、叶器官中平均Cd富集量最大的试验滇楸苗组对应的品种作为高Cd富集量的滇楸品种。每年只需采集高Cd富集的滇楸优良无性系枝条或/和根段，繁殖的苗木栽植于Cd污染矿区，就可较好地实现Cd污染土壤植被生态修复，对Cd污染地区土壤的修复具有重要的意义。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
