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深紫外LED光源封装结构
专利权人:
厦门瑶光半导体科技有限公司
发明人:
黄生荣,蔡端俊
申请号:
CN202122822918.2
公开号:
CN216389420U
申请日:
2021.11.17
申请国别(地区):
CN
年份:
2022
代理人:
摘要:
本实用新型提供一种深紫外LED光源封装结构,其包括绝缘基板、发光芯片、第一电极、第二电极和聚光结构,发光芯片设置在绝缘基板的上表面,第一电极和第二电极分别电连接于发光芯片的正极和负极,聚光结构设置在绝缘基板的上表面并覆盖发光芯片,其中,聚光结构的内侧和/或外侧上设置有反射结构,反射结构用于将发光芯片射出的光线朝向远离第一表面的方向射出。借此设置,可聚集深紫外光线,极大提升杀菌消毒能力。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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