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一种低氯高纯羧乙基锗倍半氧化物的制备方法
- 专利权人:
- 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
- 发明人:
- 普世坤,谢天敏,朱知国,张东晟,许金斌,李庭安,吴王昌,李正美,赵娟,李长林,林作亮
- 申请号：
- CN202010374072.8
- 公开号：
- CN111574553A
- 申请日:
- 2020.05.06
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2020
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明涉及有机化合物制备技术领域，具体公开了一种低氯高纯羧乙基锗倍半氧化物的制备方法，包括将羧乙基锗倍半氧化物进行至少一次重结晶操作，具体步骤包括加热、溶解、冷却、结晶、过滤、洗涤、烘干，所述溶解过程中所使用的溶剂为去离子水、去离子水和食品级丙酮的混合物、去离子水和食品级乙醇的混合物中的一种，其中去离子水和食品级丙酮的体积比为1:1‑1.5；去离子水和食品级乙醇的体积比为1:0.5‑1.0，实施本发明的技术方案，使羧乙基锗倍半氧化物中的杂质成分，如氯离子、无机二氧化锗等的含量得到大幅降低，从而提高了羧乙基锗倍半氧化物的质量，使其纯度达到99.99%以上，氯离子含量小于50ug/g，满足了特殊客户用于生产化妆品、食品等方面的特殊要求。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
