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PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF INTERCRÂNIEN À PROFIL BAS ET DISPOSITIF INTERCRÂNIEN À PROFIL BAS FABRIQUÉ PAR LEDIT PROCÉDÉ
专利权人:
THE JOHNS HOPKINS UNIVERSITY;LONGEVITI NEURO SOLUTIONS LLC
发明人:
GORDON, Chad, R.,CHRISTOPHER, Jesse
申请号:
USUS2017/049292
公开号:
WO2018/044984A1
申请日:
2017.08.30
申请国别(地区):
US
年份:
2018
代理人:
摘要:
A low-profile intercranial device including a low-profile static cranial implant and a functional neurosurgical implant. The low-profile static cranial implant and the functional neurosurgical implant are virtually designed and interdigitated prior to physical assembly of the low-profile intercranial device.L'invention concerne un dispositif intercrânien à profil bas, comprenant un implant crânien statique à profil bas et un implant neurochirurgical fonctionnel. L'implant crânien statique à profil bas et l'implant neurochirurgical fonctionnel sont virtuellement conçus et interdigités avant l'assemblage physique du dispositif intercrânien à profil bas.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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