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SUBSTRAT DE PHOTO-IRRADIATION
专利权人:
SHARP KABUSHIKI KAISHA;OSAKA CITY UNIVERSITY;SBI PHARMACEUTICALS CO., LTD.;公立大学法人大阪市立大学;シャープ株式会社;SBIファーマ株式会社
发明人:
IGUCHI, Katsuji,井口勝次,SATO, Hiroya,佐藤浩哉,YOSHIMOTO, Takashi,吉本孝志,MORI, Jun,森淳,OZAWA, Toshiyuki,小澤俊幸,AWAZU, Kunio,粟津邦男
申请号:
JPJP2017/022769
公开号:
WO2017/221950A1
申请日:
2017.06.21
申请国别(地区):
JP
年份:
2017
代理人:
摘要:
The present invention is provided with a surface positive wiring (2P) formed on a flexible substrate (5), an external positive connection wire (12P) connected to the surface positive wiring (2P) to supply electric power, and a plurality of LED chips (4) disposed on the flexible substrate (5) and connected to the surface positive wiring (2P), the electrical resistance between the LED chip (4) disposed farthest from the external positive connection wire (12P) and the external positive connection wire (12P) being less than the internal resistance of the LED chip (4).La présente invention est pourvue d'un câblage positif de surface (2P) formé sur un substrat flexible (5), d'un fil de connexion positive externe (12P) connecté au câblage positif de surface (2P) pour fournir de l'énergie électrique, et une pluralité de puces à LED (4) disposées sur le substrat flexible (5) et connectées au câblage positif de surface (2P), la résistance électrique entre la puce de LED (4) disposée le plus loin du fil de connexion positive externe (12P) et le fil de connexion positive externe (12P) étant inférieure à la résistance interne de la puce à LED (4).フレキシブル基板(5)に形成された表面正配線(2P)と、電力を供給するために表面正配線(2P)に接続された外部正接続線(12P)と、フレキシブル基板(5)に配置されて表面正配線(2P)に接続された複数のLEDチップ(4)とを備え、外部正接続線(12P)から最も遠方に配置されたLEDチップ(4)と外部正接続線(12P)との間の電気抵抗が、LEDチップ(4)の有する内部抵抗よりも小さい。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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