A transmission/reception separation switch circuit according to an embodiment of the invention includes a first MOSFET (MN1) and a second MOSFET (MN2), which are connected between an input terminal (SWIN) and an output terminal (SWOUT), and exhibits a switch off state during transmission and a switch on state during reception. The switch circuit also includes a shunt circuit (SHNT) connected between a common gate (COMG) obtained by connecting the gates of the first and second MOSFETs to each other and a common source (COMS) obtained by connecting the sources of the first and second MOSFETs to each other. When a signal having a negative voltage relative to a reference voltage is applied to the input terminal, the switch temporarily turned on causes the shunt circuit to short-circuit the common gate and the common source.L'invention concerne, selon un mode de réalisation, un circuit de commutation de séparation de transmission/réception qui comprend un premier transistor MOS (MN1) et un second transistor MOS (MN2), qui sont connectés entre une borne d'entrée (SWIN) et une borne de sortie (SWOUT) et qui présente un état hors tension pendant une transmission et un état sous tension pendant une réception. Le circuit de commutation comprend également un circuit de dérivation (SHNT) connecté entre une grille commune (COMG) obtenue en connectant les grilles des premier et second transistors MOS l'une à l'autre et une source commune (COMS) obtenue en connectant les sources des premier et second transistors MOS l'une à l'autre. Lorsqu'un signal possédant une tension négative par rapport à une tension de référence est appliqué à la borne d'entrée, le commutateur temporairement mis sous tension fait en sorte que le circuit de dérivation court-circuite la grille commune et la source commune.実施の形態の送受分離スイッチ回路は、入力端子（ＳＷＩＮ）と出力端子（ＳＷＯＵＴ）との間に接続された第１ＭＯＳＦＥＴ（ＭＮ１）および第２ＭＯＳＦＥＴ（ＭＮ２）を有し、送信時にはスイッチオフ状態となり、受信時にはスイッチオン状態となるスイッチ回路である。前記スイッチ回路は、前記第１ＭＯＳＦＥＴおよび前記第２ＭＯＳＦＥＴのゲートが互いに接続された共通ゲート（ＣＯＭＧ）とソースが互いに接
