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Power Amplifier Active Bias Circuit AND Very High Frequency Medical Ultrasound Imaging Systems
专利权人:
금오공과대학교 산학협력단
发明人:
최호종,박철우
申请号:
KR1020160091430
公开号:
KR1018868250000B1
申请日:
2016.07.19
申请国别(地区):
KR
年份:
2018
代理人:
摘要:
Wherein the active bias circuit includes a power amplifying part for receiving an input AC voltage to an input terminal and amplifying the input AC voltage by a predetermined voltage gain and then outputting an output voltage to an output terminal and a bias part for applying a predetermined bias voltage to an input terminal of the power amplifying part, The bias unit includes: a first resistor (R1) receiving a bias input voltage at one end and having the other end connected to the first node (N1); A second resistor R2 connected between the first node N1 and a source terminal SOURCE of the MOS transistor Q1; A diode D connected between the first node N1 and a gate terminal GATE of the MOS transistor Q1; A capacitor C connected between a gate terminal of the MOS transistor Q1 and a ground voltage terminal VSS; And an inductor L connected between the drain terminal DRAIN of the MOS transistor Q1 and the input terminal of the power amplifying part.능동 바이어스 회로는 입력단으로 입력 교류전압을 입력받아 소정의 전압이득만큼 증폭시킨 후 출력단으로 출력전압을 출력하는 파워 증폭부 및 상기 파워 증폭부의 입력단으로 소정의 바이어스 전압을 인가하는 바이어스부를 포함하며, 상기 바이어스부는, 일단으로 바이어스 입력전압을 입력받고 타단이 제1 노드(N1)에 접속되는 제1 저항(R1); 상기 제1 노드(N1)와 MOS 트랜지스터(Q1)의 소스단(SOURCE) 사이에 접속되는 제2 저항(R2); 상기 제1 노드(N1)와 상기 MOS 트랜지스터(Q1)의 게이트단(GATE) 사이에 접속되는 다이오드(D); 상기 MOS 트랜지스터(Q1)의 게이트단과 접지전압단(VSS) 사이에 접속되는 캐패시터(C); 및 상기 MOS 트랜지스터(Q1)의 드레인단(DRAIN)과 상기 파워 증폭부의 입력단 사이에 접속되는 인덕터(L);를 포함하는 것을 특징으로 한다.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/
相关发明人
박철우
최호종
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意 见 箱

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