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基于残缺P3近似正向模型测量混浊介质光学参数的方法
- 专利权人:
- 天津大学
- 发明人:
- 赵会娟,刘玲玲,万文博,高峰
- 申请号：
- CN201710755759.4
- 公开号：
- CN107411716B
- 申请日:
- 2017.29.08
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2020
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公开了一种基于残缺P3近似正向模型测量混浊介质光学参数的方法,主要包括:建立辐射率的残缺P3近似正向模型,发展基于残缺P3近似正向模型光学参数反构的解析算法,从而得到被测混浊介质的吸收系数和约化散射系数。所发展的残缺P3与传统P3相比表达式更加简洁,与扩散近似相比更加准确描述光在大吸收或小散射组织中的传播。所发展的基于残缺P3解析反构算法,与传统的基于P3近似的拟合算法及基于扩散近似的解析反构算法相比,能够更加准确地反构出大吸收或小散射混浊介质的光学参数。其中的解析反构算法求解速度快有望应用于的光学参数在线监测。本发明所提出的测量方法不需要测量实验系统所用的光源强度,有利于实际应用。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
