一种利用抽真空制备高堆密度I+G混晶的方法
- 专利权人:
- 武晓丹
- 发明人:
- 武晓丹
- 申请号：
- CN201810132321.5
- 公开号：
- CN108157908A
- 申请日:
- 2018.02.09
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 摘要：
- 本申请一种利用抽真空制备高堆密度I+G混晶的方法结合共结晶理论,引入抽真空手段,对溶析剂滴加速率、搅拌速率、真空度等参数进行了研究,制备得到一种堆密度高,粒度大,产品均匀,流动性好的I+G混晶。工艺过程简单,容易控制,解决了I+G混晶制备过程中,影响因素过多,众多因素难以协调的技术问题,能够在恒定的参数范围内制备得到高品质的混晶产品,极大地降低了工艺过程控制的难度。制备的I+G混晶晶体粒度分布d(50)为481~569μm,堆密度为0.90~0.96g/ml。抽真空结晶时,对溶析剂进行回收,并将回收的溶析剂添加到溶液中继续参与溶析,节约了成本。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
