DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF DE CAPTURE D'IMAGE ULTRASONORE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, ET SYSTÈME D'IMAGERIE ULTRASONORE
[Problem] To provide a semiconductor device that is provided with a protection circuit having excellent characteristics even with a small area, an ultrasonic image pickup device, a semiconductor device manufacturing method, and an ultrasonic imaging system.[Solution] A semiconductor device of the present art is provided with an integrated circuit that is formed on an SOI substrate, which is provided with a silicon substrate formed of crystalline silicon, a BOX layer laminated on the silicon substrate, and an SOI layer laminated on the BOX layer. The semiconductor device is also provided with a protection circuit and an element isolation region. The protection circuit is provided with a semiconductor region, which constitutes the integrated circuit, and has crystalline orientation that is same as that of the silicon substrate. The element isolation region penetrates the SOI substrate, and isolates the protection circuit.La présente invention a pour objet de pourvoir à un dispositif à semi-conducteur qui comporte un circuit de protection présentant d'excellentes caractéristiques même avec une petite superficie, à un dispositif de capture d'image ultrasonore, à un procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteur, et à un système d'imagerie ultrasonore. La solution de l'invention porte sur un dispositif à semi-conducteur comportant un circuit intégré qui est formé sur un substrat silicium sur isolant (SOI), qui comprend un substrat en silicium formé de silicium cristallin, une couche BOX stratifiée sur le substrat en silicium, et une couche SOI stratifiée sur la couche BOX. Le dispositif à semi-conducteur comporte également un circuit de protection et une zone d'isolation d'élément. Le circuit de protection comporte une zone semi-conductrice, qui constitue le circuit intégré, et présente une orientation cristalline qui est la même que celle du substrat en silicium. La zone d'isolation d'élément pénètre dans le substrat SOI, et isole le circuit de protection.【課題】
