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培养基体及使用该培养基体的神经移植体
- 专利权人:
- 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
- 发明人:
- 范立,冯辰,赵文美
- 申请号：
- CN201110217845.2
- 公开号：
- CN102911912A
- 申请日:
- 2011.08.01
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2013
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明涉及一种培养基体，用于培养神经细胞的神经突起，其包括：一载体及设置于该载体表面的一碳纳米管结构，所述碳纳米管结构包括多个间隔设置的碳纳米管线，该碳纳米管线用于引导神经突起的生长方向，且相邻的碳纳米管线之间的间距大于等于所述神经突起的直径。所述碳纳米管结构还可以包括多个交叉设置的碳纳米管线，该多个碳纳米管线相互交叉形成多个孔，每个孔的有效直径大于等于所述神经突起的直径。本发明还提供一种使用上述培养基体的神经移植体，其包括上述培养基体以及吸附在该培养基体表面的神经网络；所述神经网络包括多个神经细胞，该多个神经细胞包括多个神经突起，所述碳纳米管结构通过该多个碳纳米管线形成一图案，该多个神经突起沿着该多个碳纳米管线延伸形成图案化的神经突起。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
