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培养基体、应用该培养基体的移植体及移植体的制备方法
- 专利权人:
- 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;清华大学
- 发明人:
- 冯辰,范立,赵文美
- 申请号：
- CN201110181525.6
- 公开号：
- CN102847199B
- 申请日:
- 2011.06.30
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2015
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明涉及一种移植体，其包括一碳纳米管结构及一生物组织，所述碳纳米管结构的表面被极化，形成一极性化表面，所述生物组织吸附在该碳纳米管结构的极性化表面。本发明还提供一种上述移植体的制备方法，其包括如下步骤：提供一培养基体，该培养基体包括一碳纳米管结构，该碳纳米管结构被极化，形成一极性化表面；在所述碳纳米管结构的极性化表面种植多个细胞；以及培养所述多个细胞直到该多个细胞生长形成一生物组织。本发明还提供一种培养基体，用于培养所述生物组织，其包括一碳纳米管结构，该碳纳米管结构的表面被极化，形成一极性化表面，该极性化表面具有与待培养的生物组织相匹配的电荷极性。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
