深纳米三维FinFET结构栅围寄生电容模型及其波动性分布研究

基金项目类型：

国家自然科学基金

基金项目编号：

61574056

来源网站：

国家自然科学基金委员会

来源网址：

http://www.nsfc.gov.cn/

负责人：

石艳玲

完成单位：

华东师范大学

中文关键词：

深纳米FinFET器件; 寄生电容; 器件模型; 工艺波动性; 统计分布;

项目类型：

面上项目

语种：

中文

开始日期：

2016-01-01

结束日期：

2019-12-31

中文摘要：

三维FinFET器件是全球顶尖集成电路技术的核心器件和竞争热点，其独有的三维环栅结构将引入不同于平面MOSFET的栅围寄生电容, 由此产生的寄生延时将严重制约高频、高速电路的精准仿真与实现。课题组基于已完成的国家科技部“核高基”重大专项子课题——“40nm器件模型及参数提取“的理论技术积累，提出进一步开展深纳米工艺FinFET结构栅围寄生电容的存在形态及物理模型研究，通过自主提出微小电容分离技术、创建测试结构，获得寄生电容物理模型及工艺波动下的统计分布，并通过优化工艺层次文件，实现电路级仿真与验证。器件模型是链接器件制备、工艺集成与电路设计的重要桥梁，本课题研究不仅能推进下一代VLSI核心器件的实现，而且对FinFET集成的高端芯片设计及仿真不可或缺。